东芝功率管有哪些型号（东芝功放芯片怎么样）

电子爱好者网报道（文/程文智）近年来，新能源汽车发展迅速，配套的汽车功率器件也发展迅速。许多制造商已开始开发用于汽车应用的新产品。例如，SiC就是一个典型的例子。自从特斯拉在Model 3 上使用以来，SiC 在汽车中的使用量开始增加。现在不少厂商都推出了车规级SiC产品。

作为先进半导体制造商，东芝多年来一直在布局SiC产品。推出SiC MOSFET、SiC SBD、SiC MOSFET模块等多类型产品。 PCIM Aisa 2021展会上，东芝电子元件（上海）有限公司分立器件战略业务规划部分立器件应用技术部高级经理曲兴国向我们介绍了东芝SiC系列产品。他表示：由于SiC比硅具有更高的耐压性和更低的损耗，因此被广泛认为是下一代功率器件的材料。目前主要应用于列车逆变器，但随着技术的不断发展，未来也会得到应用。它可能在各种光伏发电系统和工业设备的电源管理系统中发挥重要作用。

推陈出新，东芝推动SiC器件发展

尽管SiC器件备受业界关注，但可靠性和成本因素仍然阻碍SiC器件的使用和市场增长。据曲兴国老师介绍，目前市场上全SiC MOSFET的价格接受度约为IGBT或MOSFET模块的5倍，目前全SiC MOSFET的价格是后者的10倍以上。关于可靠性问题，他表示，当电流流过位于功率MOSFET源极和漏极之间的PN二极管时，晶体缺陷会扩大，从而增加导通电阻，降低器件可靠性。

为了解决这个问题，东芝开发了一种新的器件结构，即肖特基势垒二极管（SBD）嵌入式MOSFET。这种结构通过在MOSFET中与PN二极管并联放置一个肖特基势垒二极管来防止PN结二极管工作；与PN结二极管相比，嵌入式肖特基势垒二极管的通态电压较低，流过内置肖特基势垒二极管的电流可以抑制导通电阻的变化。

新器件结构是对肖特基势垒二极管嵌入式MOSFET 器件的改进。通过采用25%的工艺缩减和优化设计，肖特基势垒二极管对PN二极管中电流的抑制能力得到增强。与东芝当前的器件结构相比，采用新器件结构的3300V芯片结构在175C下的电流密度增加了一倍以上，而不会造成任何可靠性损失。新的器件结构还可以在室温下将3300V芯片的导通电阻降低约20%，并且可以将1200V芯片的导通电阻降低约40%。

据了解，从今年5月开始，东芝采用新器件结构的3300V碳化硅功率模块样品已经发货。

为了提高SiC使用的成本效益，东芝还开发了SiC混合模块，该模块集成了SiC SBD芯片和IGBT芯片。这样就可以利用SiC SBD芯片的快速反向恢复和低损耗特性来增强IGBT的性能。减小模块尺寸。目前东芝可提供3300V、1500A产品和1700V、1200A模块。不过，曲兴国表示，此类产品在国内的推广效果并不理想，因为国内厂商并不认可这种妥协方案。国内厂商更关注纯SiC产品。他们希望提供最先进的解决方案，或者说是成本更低的解决方案，因此，SiC混合模块只能作为过渡产品来推广，未来应该过渡到SiC MOSFET。

独特的IEGT设备彰显东芝实力

除了SiC产品之外，东芝的IEGT系列产品也在本次展会上吸引了参观者的目光。东芝IEGT是注入增强型栅极晶体管的缩写，是东芝公司在20世纪90年代创建的名称。可以理解为东芝专用的IGBT。 20世纪90年代，东芝率先采用栅极注入增强技术来降低IGBT器件的静态损耗。当时东芝专门为这个名字注册了商标并保护了这个名字。

曲兴国表示，东芝的IEGT大功率器件目前主要有两种类型。一类是用于风力发电和高压直流输配电的压接式（PPI）产品；另一类主要用于风力发电和电力机车。模块化封装（PMI）产品。当然，两种类型的产品都可以用于工业驱动。

压接封装的IEGT（PPI）产品具有四大优势：内部芯片无引线键合，更容易实现高可靠性；可双面散热，实现高散热性能；方便多设备串行应用；采用陶瓷外壳封装，防爆结构。

电子爱好者网了解到，东芝目前不提供IGBT/IEGT产品的驱动芯片。如果客户想使用东芝的IGBT/IEGT产品，可以使用第三方驱动芯片，例如铜剑、PI等厂商提供的驱动芯片。

多种电源产品助力电子行业创新发展

当然，除了大功率器件之外，东芝在中小功率器件上也有布局。例如，针对无刷直流电机应用，东芝可以提供高度集成的智能模块。目前的新产品具有高可靠性，耐压600V，并采用内置MOS，可以实现更低的损耗和贴片封装，帮助客户提高生产效率。还提供常规的过流、过温和低压保护功能。

据曲兴国介绍，东芝在汽车领域也深耕多年。在电子助力转向、制动系统、车辆空调系统、发动机/变速箱系统、HEV/EV应用、车辆信息系统等方面有相关产品可供客户选择。

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编辑：jq