se perc工艺流程（perc+se工艺流程）

PCSEL的工艺流程相对简单，但也存在困难。

根据参考文献，其工艺流程可分为以下步骤：

设计外延片参数，第一次外延制备光子晶体，第二次外延制备台面和电极。

设计外延片参数：自行完成外延片参数设计。

第一次外延：激光外延技术已经比较成熟，因此有很多商业公司可以提供这一步的工艺服务，或者他们自己有设备来完成这一步的工艺。

光子晶体的制备：PCSEL中的光子晶体周期和孔径一般为数十至数百纳米。此规模需要EBL 处理。 EBL加工技术也比较成熟。有很多商业公司可以提供这一步的流程服务，或者他们拥有自己完成这一步流程的设备。这个过程可以分为以下步骤：

第二次外延：此过程难度较大，也是研究过程的重点。外延过程中需要保留孔隙，这可以看作是PCSEL的特殊工艺。目前能够提供这一流程服务的商业公司应该很少。一般来说，你需要自己去探索这个过程，所以你要么有自己的设备来自己探索这个过程，要么你可以租用别人的设备来自己探索这个过程。目前，有很多关于此过程的文档[1][2]。

准备桌面和电极：这一步工艺也比较成熟。有很多商业公司可以提供这一步的流程服务，或者他们拥有自己完成这一步流程的设备。这个过程可以分为以下步骤：