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se perc工艺流程(perc+se工艺流程)

PCSEL的工艺流程相对简单,但也存在困难。

根据参考文献,其工艺流程可分为以下步骤:

se perc工艺流程(perc+se工艺流程)

设计外延片参数,第一次外延制备光子晶体,第二次外延制备台面和电极。

设计外延片参数:自行完成外延片参数设计。

第一次外延:激光外延技术已经比较成熟,因此有很多商业公司可以提供这一步的工艺服务,或者他们自己有设备来完成这一步的工艺。

第二次外延:此过程难度较大,也是研究过程的重点。外延过程中需要保留孔隙,这可以看作是PCSEL的特殊工艺。目前能够提供这一流程服务的商业公司应该很少。一般来说,你需要自己去探索这个过程,所以你要么有自己的设备来自己探索这个过程,要么你可以租用别人的设备来自己探索这个过程。目前,有很多关于此过程的文档[1][2]。

准备桌面和电极:这一步工艺也比较成熟。有很多商业公司可以提供这一步的流程服务,或者他们拥有自己完成这一步流程的设备。这个过程可以分为以下步骤:

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