碳化硅 功率模块（碳化硅 模块）

碳化硅MOSFET具有优异的高频、高压、高温性能，是目前电力电子领域最流行的宽禁带功率半导体器件。在电力电子系统中应用碳化硅MOSFET器件替代传统的硅IGBT器件，可以提高功率环路的开关频率，提高系统效率和功率密度，降低系统总体成本。

为了更好地满足工业客户对高功率密度的需求，基础半导体推出了兼容EasyPACKTM 2B封装的工业级全碳化硅MOSFET功率模块PcoreTM2 E2B。该产品基于高性能6英寸晶圆平台设计，具有特定的导通电阻、开关损耗、抗误开通、抗双极劣化等优异性能。

BMF240R12E2G3 产品亮点

导通电阻更稳定：新型内部结构极大地抑制了碳化硅晶体缺陷引起的RDS(on)波动。

更好的抗噪声特性：宽栅源电压范围（Vgss: -10V~+25V），更高的阈值电压范围（Vth：3V~5V），有利于栅极驱动设计。

更高的可靠性：高性能氮化硅AMB陶瓷基板和高温焊料的引入改善了长期高温冲击循环中的CTE失配。

应用领域：燃料电池DCDC、数据中心UPS、大功率快速充电桩等。

全新第二代碳化硅MOSFET系列基于6英寸晶圆平台开发，在比导通电阻、开关损耗和可靠性方面均优于上一代产品。基础半导体在原有TO-247-3和TO-247-4封装产品的基础上，还推出了带有辅助源的碳化TO-247-4-PLUS、TO-263-7和SOT-227封装。硅MOSFET器件更好地满足客户需求。

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