碳化硅(SiC) 半导体的生产已有数十年历史,但直到最近,随着汽车市场加速迈向历史上最大规模的电气化转型,该技术才成为人们关注的焦点。
随着政府对气候变化的要求,或许更重要的是,消费者需求呈指数级增长,汽车原始设备制造商(OEM) 计划在未来10 到15 年内将其大部分销售额转向电池电动车型。这种电气化转型日益决定了汽车功率半导体的整体市场需求。最初,汽车功率半导体市场以硅IGBT 和MOSFET 为主,而SiC 和氮化镓(GaN) 等宽带隙半导体的机会仅限于特斯拉等早期采用者。
但随着当前汽车市场转向纯电动汽车以及汽车原始设备制造商继续向电动车队转型,对SiC 的需求正在快速增长。
收入增长
根据市场研究公司TechInsights 的数据,到2030 年,电动汽车生产的整个SiC 市场收入将达到96 亿美元,并且到2027 年将以惊人的37% 的复合年增长率增长。
TechInsights汽车部门执行董事Asif Anwar表示:“不过,我们并不认为对其他电力电子半导体的需求会消失。届时,硅基IGBT、MOSFET和二极管仍将占整体的50%市场需求。”
汽车功率市场—— 功率MOSFET、IGBT 和SiC 半导体—— 预计到2030 年收入将达到266 亿美元,几乎是今年126 亿美元收入的两倍。未来五年,汽车功率芯片市场的复合年增长率(CAGR)预计将达到16.0%。
在电动汽车中的应用
SiC 的使用将取决于所制造的电动汽车的类型。对于轻度混合动力汽车,该细分市场将继续依赖硅MOSFET 的使用,尽管如果价格能够降低以匹配当前的MOSFET,GaN 技术可能会有一些应用。 TechInsights 表示,对于全混合动力和插电式混合动力,SiC 和GaN 等宽带隙技术将不太适合,因为主流硅IGBT 和MOSFET 技术更具成本效益。
全电池电动汽车将成为各大逆变器中SiC芯片的主要驱动力。此外,SiC芯片将越来越多地应用于DC-DC转换器、车载充电器等电力电子系统中。 TechInsights 表示,尽管SiC 芯片比其他技术贵得多,但这些技术在减小尺寸和重量、提高系统性能和电池寿命方面的优势将有助于更广泛的电动汽车普及。
预计需求
公司已经制定了计划,并指望这种增长成为巨大的收入来源。本月早些时候,意法半导体宣布将与三安光电在中国重庆建立一家200毫米SiC制造合资企业。意法半导体占据整个汽车SiC市场约50%的份额。
OnSemi 一直在签署协议并进行大规模投资,与汽车动力设备制造商Vitesco Technologies 签署了为期10 年的SiC 协议。此外,在与电动汽车充电设备制造商Kempower 达成不同的供应协议后,该公司承诺投资20 亿美元扩大SiC 产量。
X-Fab表示将投资2亿美元扩建其位于德克萨斯州拉伯克的芯片制造工厂,以生产更多SiC器件,博世收购了美国半导体代工厂TSI Semiconductors。到2030 年底扩大其SiC 芯片产品组合。博世表示,向汽车电气化转型是此次收购的原因。
今年2月,Wolfspeed Inc.表示将在欧洲建造第一家半导体工厂,一座200毫米晶圆厂,用于生产SiC器件。该工厂将建在德国萨尔州,是Wolfspeed 65 亿美元总体产能扩张计划的一部分,该计划还包括扩张其在美国的其他SiC 业务。
德州仪器(Texas Instruments) 和Skyworks 等其他公司也在加快开发SiC 半导体的计划,主要面向汽车市场,但也将参与其他潜在市场。
浮士德科技为SK PowerTech一级代理商,可提供多种碳化硅MOSFET和碳化硅二极管。