门极驱动芯片（门极驱动电路）

最大峰值输出栅极电流；快速关机；最好的隔离。

美国加利福尼亚州圣何塞，近日：深耕中高压逆变器应用栅极驱动器技术领域的知名公司Power Integrations（纳斯达克股票代码：POWI）推出了SIC1182K SCALE-iDriver ——，该产品是商用提供高效率、单通道碳化硅(SiC) MOSFET 栅极驱动器，无需外部驱动级即可提供最大峰值输出栅极电流。新产品可配置支持不同的栅极驱动电压，以满足商用SiC-MOSFET的需求；其主要应用包括不间断电源（UPS）、光伏系统、伺服驱动器、焊机和电源。

SIC1182K 在125C 的结温下提供8 A 驱动，从而支持输出功率为数百千瓦的SiC-MOSFET 逆变器设计，而无需使用推动级。这将提高系统效率，并允许客户完成单一设计，以涵盖整个产品系列中具有不同额定功率的逆变器。高达150 kHz 的开关频率支持各种应用。

SCALE-iDriver SIC1182K SiC 栅极驱动器采用Power Integrations 的高速FluxLink 通信技术来显着增强隔离性能。 FluxLink 是一种革命性的信号传输技术，可取代光耦合器和电容式或基于硅的解决方案，显着提高可靠性并提供1200 V 强化绝缘。 SCALE-iDriver 器件还集成了多种系统关键保护功能，例如去饱和监控和电流感应读出、初级和次级欠压保护(UVLO) 以及高级有源钳位(AAC)。此外，该保护电路还可以提供5微秒内的安全关断，满足SiC器件的快速保护需求。 SIC1182K SiC 栅极驱动器还具有很强的外部磁场抗扰度。其封装可提供9.5mm的爬电距离和电气间隙，所用材料达到IEC60112标准的最高CTI等级—— CTI600。

Power Integrations 栅极驱动器产品高级营销总监Michael Hornkamp 表示：“碳化硅MOSFET 技术为减小尺寸和重量打开了大门，还可以降低电源系统损耗。SCALE-iDriver 产品系列采用FluxLink技术使设计出具有成本效益的逆变器具有极低的外部元件数量和安全性能，确保功能安全、更小的封装尺寸和更高的效率。”

SCALE-iDriver技术可大幅减少所需外围元件数量，降低BOM成本；不需要钽电容器或电解电容器，只需要次级绕组。双层PCB 可用于进一步简化设计、减少元件数量并简化供应链管理。

Power Integrations 的SCALE-iDriver SIC1182K SiC 栅极驱动器符合适用于1000 V 以下低压设备的IEC60664-1 绝缘协调标准和IEC61800-5-1 电机驱动逆变器标准。新器件即将获得UL 1577安全标准1分钟内5 kVAC瞬时绝缘耐压等级认证，VDE0884-10认证正在进行中。

该器件现已上市，批量购买10,000 件时售价为4.65 美元。