Basic Semiconductor 的碳化硅肖特基二极管B1D05120E 是需要较短生产时间并希望提高效率和可靠性的应用的理想选择。该器件可以引脚对引脚地替代WOLFSPEED(以前称为Cree)C4D05120E。 B1D05120E和C4D05120E均可应用于功率因数校正(PFC)和逆变器。
重要器件参数对比:
总结一下参数对比:
1、B1D05120E和C4D05120E的结温范围为-55-175,满足军工级器件的温度要求,可适应恶劣的温度环境。
2、B1D05120E和C4D05120E的反向重复峰值电压均为1200V。当VR=1200V、TJ=25C时,B1D05120E的典型反向漏电流值为2uA,而C4D05120E的典型反向漏电流值为20uA。相比之下,B1D05120E在反向截止状态下功耗更低,热损失更低,效率更高。
3、B1D05120E和C4D05120E的持续正向电流分别为5A和9A。当TC=25、TP=10ms时,B1D05120E的正向非重复浪涌电流为60A,C4D05120E为42A。
4、封装替换方面,B1D05120E和C4D05120E均采用TO-252-2,B1D05120E可以通过pin to pin直接替换C4D05120E。
5.此外,B1D05120E的开关速度极快,且不受温度影响。
B1D05120E碳化硅肖特基二极管特点:
?正温度系数,运行安全,并联方便
?最高工作结温175C
?优异的抗浪涌能力
?极快的开关速度且不受温度影响
?与硅双极二极管相比,开关功耗更低
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