碳化硅肖特基二极管主要参数（碳化硅肖特基二极管的应用）

Basic Semiconductor 的碳化硅肖特基二极管B1D05120E 是需要较短生产时间并希望提高效率和可靠性的应用的理想选择。该器件可以引脚对引脚地替代WOLFSPEED（以前称为Cree）C4D05120E。 B1D05120E和C4D05120E均可应用于功率因数校正（PFC）和逆变器。

重要器件参数对比：

总结一下参数对比：

1、B1D05120E和C4D05120E的结温范围为-55-175，满足军工级器件的温度要求，可适应恶劣的温度环境。

2、B1D05120E和C4D05120E的反向重复峰值电压均为1200V。当VR=1200V、TJ=25C时，B1D05120E的典型反向漏电流值为2uA，而C4D05120E的典型反向漏电流值为20uA。相比之下，B1D05120E在反向截止状态下功耗更低，热损失更低，效率更高。

3、B1D05120E和C4D05120E的持续正向电流分别为5A和9A。当TC=25、TP=10ms时，B1D05120E的正向非重复浪涌电流为60A，C4D05120E为42A。

4、封装替换方面，B1D05120E和C4D05120E均采用TO-252-2，B1D05120E可以通过pin to pin直接替换C4D05120E。

5.此外，B1D05120E的开关速度极快，且不受温度影响。

B1D05120E碳化硅肖特基二极管特点：

?正温度系数，运行安全，并联方便

?最高工作结温175C

?优异的抗浪涌能力

?极快的开关速度且不受温度影响

?与硅双极二极管相比，开关功耗更低

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