arm核心板有什么用（arm内核的芯片）

随着嵌入式行业的快速发展，ARM核心板和ARM工控板的应用越来越广泛。 ARM核心板将主控制器（MPU）、内存、存储和电源管理等关键组件封装到一个最小的系统中。完整的操作系统和驱动程序可以大大缩短项目开发周期。本文将简单介绍如何正确选择合适的存储类型。

图1 HD6Q-CORE

目前ARM核心板使用的存储（电子硬盘）大致分为两类：Nand flash和eMMC。 Nand闪存是闪存的一种。它使用复杂的I/O 端口串行访问数据。每个产品或制造商的方法可能不同。一般情况下，8个引脚用于传输控制、地址和数据。信息。

eMMC本质上就是Nand flash。 eMMC=Nand flash + 闪存控制芯片+ 标准接口封装。其内部集成的闪存控制器具有读写协议、擦写平衡、坏块管理、ECC验证、电源管理、时钟管理、数据访问等功能，大大降低了Nand-flash的使用难度。

一般来说，当主控性能较低时（如ARM9、Cortex-A7），其匹配的存储容量也较低。 Nand flash通常选择256M或512M时。当主控性能高时（如Cortex-A9、Cortex-A53），存储容量也高。在4GB、8GB甚至32GB时，eMMC会更具性价比。

图2 NAND闪存和eMMC

仅了解Nand flash 和eMMC 之间的简单区别并不足以选择好的存储。接下来我们就来看看Nand闪存颗粒对性能、安全性和价格的影响。

Nand Flash闪存颗粒主要包括四种类型：SLC、MLC、TLC、QLC。

第一代SLC（Single-Level Cell）每单元可存储1位数据（1bit/cell），性能好、寿命长，可承受10万次编程/擦除循环，但容量低、成本高。相对较少；

第二代MLC（Multi-Level Cell）每单元可存储2位数据（2bits/cell）。其性能、寿命、容量、成本各方面都比较均衡。可承受10000次编程/擦除循环，是目前主流核心。大多数板卡制造商都配置这种类型的存储；

第三代TLC（Trinary-Level Cell）每单元可存储3位数据（3bits/cell），但其性能和寿命有所恶化。它只能承受3000次编程/擦除周期，但容量可以做得更大，而且成本也可以更低，大多数SSD选择；

第四代QLC（Quad-Level Cell）每单元可存储4位数据（4bits/cell），其性能和寿命进一步恶化。只能承受1000次编程/擦除周期，但容量更容易增加，成本持续增加。减少。

图3 SLC、MLC、TLC、QLC存储示意图

综合以上情况，如果是用于一般工业或商业应用的ARM核心板，可以配备高性价比的MLC NAND；如果项目对数据和系统要求极高，则需要选择带有SLC存储方案的ARM核心板。最大限度地减少因存储而导致的系统崩溃或关键数据丢失。

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