霍尔传感器是全球第三大传感器产品。它们广泛应用于工业、汽车工业、计算机、手机和新兴消费电子领域。
未来几年,随着越来越多的汽车电子和工业设计企业迁往中国,霍尔传感器在中国市场的年销量将保持20%~30%的快速增长。
同时,霍尔传感器的相关技术仍在不断完善,可编程霍尔传感器、智能霍尔传感器和微型霍尔传感器将有更好的市场前景。
什么是霍尔效应?
霍尔效应是磁电效应的一种。这种现象是A.H. Hall (1855-1938) 于1879 年在研究金属导电机制时发现的。
后来发现半导体、导电流体等也有这种效应,而且半导体的霍尔效应比金属强很多。当电流通过垂直于外部磁场的导体时,载流子发生偏转,并在垂直于电流和磁场的方向上产生波形。附加电场在导体的两端产生电势差。这种现象就是霍尔效应。该电位差也称为霍尔电位差。霍尔效应应使用左手定则来判断。
式(1)中:如果控制电流Ic保持恒定,在一定条件下,可以通过测量霍尔电压来计算磁感应强度,从而建立磁场与电压信号之间的联系。根据这种关系,已经开发出用于测量磁场的半导体器件,即霍尔元件。
霍尔效应的本质是固体材料中的载流子在外磁场中运动时,由于洛伦兹力的作用,其轨迹发生偏转,在材料的两侧发生电荷积累,形成垂直于运动方向的结构。当前的。电场最终用电场斥力平衡载流子上的洛伦兹力,从而在两侧建立稳定的电势差,即霍尔电压。
正交电场与电流强度和磁场强度的乘积之比就是霍尔系数。平行电场与电流强度的比值就是电阻率。大量研究表明,材料的导电过程中不仅有带负电的电子,还有带正电的空穴。
什么是霍尔传感器?
霍尔传感器是一种基于霍尔效应的磁场传感器,广泛应用于工业自动化技术、检测技术和信息处理中。
通过霍尔效应实验测得的霍尔系数可以确定半导体材料的导电类型、载流子浓度、载流子迁移率等重要参数。
由于霍尔元件产生的电位差很小,因此霍尔元件通常与放大电路、温度补偿电路、稳压电源电路集成在一个芯片上,称为霍尔传感器。霍尔传感器也称为霍尔集成电路,外观小巧,如下图所示:
霍尔传感器的一种
霍尔传感器的优点和用途
很多人都知道,汽车的自动化程度越高,微电子电路越多,就越怕电磁干扰。汽车内有很多灯具和电器装置,特别是功率较大的大灯、空调电机和雨刷电机等,在开关时会产生浪涌电流,使机械开关触点产生电弧,产生较大的电磁干扰。信号。
通过使用功率霍尔开关电路可以减少这些现象。霍尔器件检测磁场的变化并将其转换为电信号输出,可用于监测和测量汽车各部件工作参数的变化。
例如位置、位移、角度、角速度、旋转速度等,并且这些变量可以进行两次变换;可测量压力、质量、液位、流量、流量等。霍尔器件的输出直接与电子控制单元连接,实现自动检测。
目前的霍尔器件可以承受一定的振动,并且可以在-40C到零上150C的范围内工作。全部密封,不受水、油污染,能充分适应汽车恶劣的工作环境。
霍尔传感器可以测量电流和电压的任意波形,例如直流、交流、脉冲波形等,甚至可以测量瞬态峰值。次级电流忠实地反映了初级电流的波形。是普通变压器无法比拟的。它们一般只适合测量50Hz 正弦波。
原边电路与副边电路之间有良好的电气隔离,隔离电压可达9600Vrms;
精度高:工作温度范围内精度优于1%,适合任意波形的测量;霍尔开关器件无触点、无磨损、输出波形清晰、无抖动、无弹跳,位置重复精度高(可达m级)。
宽带宽:高带宽电流传感器的上升时间可小于1s;然而,电压传感器的带宽较窄,一般在15kHz以内。 6400Vrms高压电压传感器的上升时间约为500uS,带宽约为700Hz。
测量范围宽:电流测量可达50KA,电压测量可达6400V。
具有结构坚固、体积小、重量轻、寿命长、安装方便、功耗低、频率高(可达1MHZ)、耐振动、不怕灰尘、油污、水汽、盐分的污染或腐蚀。喷雾等
通常用于测量轮轴速度,例如内燃机点火正时(正时)或转速表。它用于无刷直流电机中检测永磁体的位置。
霍尔传感器广泛应用于变频调速装置、逆变装置、UPS电源、通信电源、电焊机、电力机车、变电站、数控机床、电解电镀、微机监控、电网监控等需要隔离的设施电流和检测,以及新兴的太阳能、风能、地铁轨道信号、汽车电子等领域。
霍尔传感器主要特性参数
前面介绍过,霍尔传感器是一种基于霍尔效应的磁场传感器。其主要特性参数如下。
(1)输入电阻R
霍尔传感器元件激励电流两端的直流电阻称为输入电阻。其值范围从几欧姆到数百欧姆,具体取决于不同类型的元件。
随着温度升高,输入电阻变小,从而增加输入电流,最终导致霍尔传感器的电势发生变化。为了减少这种影响,最好采用恒流源作为激励源。
(2)输出电阻R
两个霍尔传感器电位输出端之间的电阻称为输出电阻,其位数与输入电阻相同数量级。它也随着温度的变化而变化。选择合适的负载电阻很容易匹配,并且可以最大限度地减少温度引起的工艺水电势漂移。
(3)最大励磁电流I---霍尔传感器参数
由于霍尔传感器的电位随着激励电流的增大而增大,因此在应用中总是希望采用1M的较大激励电流。然而,随着励磁电流的增大,成尔元件的功耗增大,元件的温度升高。这会导致霍尔传感器隧道电势的温度漂移增加。因此,每个型号的几件都有相应的最大励磁电流,其值从几毫安到几百毫安不等。
(4) 灵敏度K
灵敏度KH=EH/IB,其值约为10MV(MA.T)。
(5)最大磁感应强度BM---霍尔传感器参数
当磁感应强度超过BM时,霍尔传感器电势的非线性误差将显着增大,Tes(T)变为数千高斯(Gs)(1Gs=104T)。
(6)等电位
在额定励磁电流F下,当外磁场为零时,是由于四个磁极几何尺寸不对称而引起的误差。
(7) 霍尔传感器电势温度系数
6M的值一般为零。霍尔传感器输出端之间的开路电压称为不等电位。使用时,常采用电桥法来补偿不等电位。在一定的磁感应强度和励磁电流的作用下,当温度变化1摄氏度时,霍尔传感器电势变化的百分比就是霍尔传感器电势温度系数,它与霍尔传感器元件的材料有关。