概括
III-V族材料与绝缘体上硅平台的混合集成是一项有前途的技术。二乙烯基硅氧烷-双苯并环丁烯(DVS-BCB或简称BCB)作为适合在工业规模上实现这种集成的技术而出现。耦合为这些混合器件的设计和制造提供了许多优势,但为了实现有效的耦合,耦合必须非常薄(数十纳米)且均匀。粘合层。然而,SOI波导结构上的BCB平坦度较差。
关键词: 失去耦合、键合、BCB、化学机械平整度、平整度
介绍
硅光子学似乎非常有前途,使得大规模研究领域能够进入集成光子学中无源器件和一些有源器件的制造。然而,硅由于其间接带隙而不适合用于光源制造。该问题的一种解决方案是将集成硅与III-V 族半导体混合。在混合集成中,III-V族半导体被接合到SOI波导电路。
实验
将BCB 式环烯烃3022-35 旋涂在空白硅和图案化SOI 样品上。旋涂前使用附着力促进剂AP3000。轻微地
审稿人:付干江
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