三星3纳米量产时间（三星3纳米芯片2021年量产）

10月19日，韩国三星电子在德国慕尼黑举办了名为“三星代工论坛2023”的活动。在本次活动上，三星电子霸气公布了芯片制造的先进工艺路线图和代工战略，声称将在未来三年内量产采用2纳米工艺的先进芯片，并计划在芯片制造方面超越台积电。未来五年。论坛上，三星电子展示了一系列针对汽车行业的定制解决方案，从先进的2纳米工艺到传统的8英寸工艺。

三星代工业务部总裁Choi Shi-young 表示：“我们目前正在加大准备投入，为客户提供功率半导体、微型计算机、先进自动驾驶人工智能芯片等多种解决方案。

三星强调，他们计划在2026年实现2nm汽车芯片的量产。同时，他们还透露了下一代存储半导体技术——5nme MRAM的开发计划，这将成为业界首款产品。

据报道，三星计划从2019年开始成为第一家采用28nm工艺量产eMRAM的公司。他们计划在2024年量产14nm汽车eMRAM，随后分别在2026年和2027年量产8nm和5nm汽车eMRAM。

三星官方指出，8nm MRAM相比14nm预计集成度提升30%，速度提升33%。此外，三星还计划将目前的130mm汽车BCD工艺升级至90nm，预计在2025年实现。与130nm相比，90nm BCD工艺将使芯片面积减少20%。三星半导体和设备解决方案（DS）部门负责人Kye Hyun Kyung博士公开表示，他们计划在未来五年内超越台积电和其他行业巨头。