ir2110逆变器驱动电路（20脚逆变器驱动芯片）

常见的MOS管驱动方式有非隔离直接驱动、自举驱动、隔离变压器驱动、光耦隔离驱动等。ir2110驱动芯片替代材料ID7S625高压高低压侧栅极驱动芯片是P基板为主的，P外延高压、高速功率MOSFET和IGBT栅极驱动器广泛应用于DCDC转换器、功率MOSFET和IGBT驱动、DC/AC转换器等领域。

ir2110替代芯片ID7S625的特点

芯片工作电压范围10V~20V

输入逻辑兼容3.3V/5V/15V

输出电流能力2.5A

高侧浮动失调电压600V

用于引导工作的浮动通道

所有通道均具有延时匹配功能

所有通道均具有欠压保护功能（UVLO）

ID7S625具有独立的高低侧输出通道。其浮动沟道可在60OV的高压下工作，可用于驱动N沟道功率MOSFE或IGBT半桥拓扑。它非常适合硬开关逆变器驱动器和DCDC转换器。低侧和高侧控制和驱动器是自供电的，不需要外部辅助电源。

IR2110国产替代芯片ID7S625驱动器采用外部自举电容上电。由于其体积小、速度快，与其他IC驱动器相比，驱动器电源电路的数量大大减少，从而降低了产品成本，提高了系统可靠性。已成为大多数中小型电源转换设备的首选驱动器件。如需更多ir2110驱动替代料ID7S625 600V大电流驱动芯片产品手册及应用信息，请向丽微电子申请。